宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室设立于2004年，紧紧围绕宽禁带半导体材料研究方向，以前瞻性、基础性研究为先导，以系统性、创新性的关键技术突破为核心，以服务于国民经济和国防建设为目标，坚持科学研究、人才培养和学术交流并重，把实验室建设成为我国宽禁带半导体技术的创新性研究基地、***人才培养基地以及学术与技术交流转化基地，推动我国宽禁带半导体技术研究迈向国际先进行列。
实验室重点开展宽带隙(宽禁带)半导体材料与器件的应用基础研究。实验室是西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科和 “211”工程重点建设学科的重要支撑。
实验室从上世纪90年代开始宽禁带半导体科学研究和人才培养，目前已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，2008年实验室成为我国国防科技创新团队。
实验室拥有从宽禁带材料制造设备、材料制造工艺到微波功率器件、高亮度LED器件管芯制造工艺，微波功率模块、微纳米器件可靠性以及VLSI电路设计等若干项自主关键技术，具有明显特色。
实验室重视研究成果与应用的结合，多项研究成果已经用于国家和国防重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用;微波功率器件已经开始用于国家重点工程;GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术，产生着辐射和带动作用;自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化;微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用。
实验室地址：西安电子科技大学北校区东大楼
通信地址：西安市太白南路2号
邮政编码：710071
办公电话：029-88202073
传真：029-88201409
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